它是complementary metal-oxide semiconductor的缩写，称为「互补性氧化金属半导体」，CMOS和CCD一样同为在数字相机中可记录光线变化的半导体，外观上几乎无分轩轾。但，CMOS的制造技术和CCD不同，反而比较接近一般计算机芯片。CMOS的材质主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带-电）和P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。然而，CMOS因为在画素的旁边就放置了讯号放大器，导致其缺点容易出现杂点，特别是处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象，更使得噪声难以抑制。CMOS对抗CCD的优势在于成本低，耗电需求少,便于制造,可以与影像处理电路同处于一个芯片上。但由于上述的缺点，CMOS只能在经济型的数字相机市场中生存。不过，新一代『Fill Factor CMOS』成为解决这个难题的救星，Fill factor CMOS属于此型传感器中最先进的制程技术。最大的差别在于提高Fill Factor（单一画素中可吸收光的面积对整个画素的比例），有效做到提升敏感度、放大CMOS面积（全片幅）和降低噪声的影响。再将Fill Factor CMOS与CCD感光器比较发现，CCD受限于良率和结构制程，面积越小，画素越高，相对成本也就越低；Fill Factor CMOS刚好相反，由于感光开口加大，FFCMOS可以挑战更高画素，更大面积（全片幅），甚至就产出比例来说，FFCMOS单一晶圆的附加价值更大。